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MOSFET场效应管参数符号
发布时间:2014-06-21 20:06:54 发布者:浩畅

一:场效应管的主要参数


1.直流参数饱和漏极电流IDSS 它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。夹断电压UP 它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS 开启电压UT 它可定义为:当UDS一定时,使ID到达某一个数值时所需的UGS

2.交流参数低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。极间电容 场效应管三个电极之间的电容,它的值越小表示管子的性能越好。

3.极限参数漏、源击穿电压 当漏极电流急剧上升时,产生雪崩击穿时的UDS。栅极击穿电压 结型场效应管正常工作时,栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态,若电流过高,则产生击穿现象。


二:场效应管的特点


场效应管具有放大作用,可以组成放大电路,它与双极性三极管相比具有以下特点:

①场效应管是电压控制器件,它通过UGS来控制ID;

②场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很高;

③它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;

④它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;

⑤场效应管的抗辐射能力强。


三:场效应管的主要参数符号


aID——漏极电流温度系数

rDS——漏源电阻

ards——漏源电阻温度系数

rDS(on)——漏源通态电阻

Cds——-源电容

rDS(of)——漏源断态电阻

Cdu——-衬底电容

rGD——栅漏电阻

Cgd——-源电容

rGS——栅源电阻

Cgs——-源电容

Rg——栅极外接电阻(外电路参数)

Ciss——栅短路共源输入电容

RL——负载电阻(外电路参数)

Coss——栅短路共源输出电容

R(th)jc——结壳热阻

Crss——栅短路共源反向传输电容

R(th)ja——结环热阻

D——占空比(占空系数,外电路参数)

PD——漏极耗散功率

di/dt——电流上升率(外电路参数)

PDM——漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率

dv/dt——电压上升率(外电路参数)

POUT——输出功率

ID——漏极电流(直流)

PPK——脉冲功率峰值(外电路参数)

IDM——漏极脉冲电流

to(on)——开通延迟时间

ID(on)——通态漏极电流

td(off)——关断延迟时间

IDQ——静态漏极电流(射频功率管)

ti——上升时间

IDS——漏源电流

ton——开通时间

IDSM——最大漏源电流

toff——关断时间

IDSS——-源短路时,漏极电流

tf——下降时间

IDS(sat)——沟道饱和电流(漏源饱和电流)

trr——反向恢复时间

IG——栅极电流(直流)

Tj——结温

IGF——正向栅电流

Tjm——最大允许结温

IGR——反向栅电流

Ta——环境温度

IGDO——源极开路时,截止栅电流

Tc——管壳温度

IGSO——漏极开路时,截止栅电流

Tstg——贮成温度

IGM——栅极脉冲电流

VDS——漏源电压(直流)

IGP——栅极峰值电流

VGS——栅源电压(直流)

IF—二极管正向电流

VGSF--正向栅源电压(直流)

IGSS——漏极短路时截止栅电流

VGSR——反向栅源电压(直流)

IDSS1——对管第一管漏源饱和电流

VDD——漏极(直流)电源电压(外电路参数)

IDSS2——对管第二管漏源饱和电流

VGG——栅极(直流)电源电压(外电路参数)

Iu——衬底电流

Vss——源极(直流)电源电压(外电路参数)

Ipr——电流脉冲峰值(外电路参数)

VGS(th)——开启电压或阀电压

gfs——正向跨导

V(BR)DSS——漏源击穿电压

Gp——功率增益

V(BR)GSS——漏源短路时栅源击穿电压

Gps——共源极中和高频功率增益

VDS(on)——漏源通态电压

GpG——共栅极中和高频功率增益

VDS(sat)——漏源饱和电压

GPD——共漏极中和高频功率增益

VGD——栅漏电压(直流)

ggd——栅漏电导

Vsu——源衬底电压(直流)

gds——漏源电导

VDu——漏衬底电压(直流)

K——失调电压温度系数

VGu——栅衬底电压(直流)

Ku——传输系数

Zo——驱动源内阻

L——负载电感(外电路参数)

η——漏极效率(射频功率管)

LD——漏极电感

Vn——噪声电压

Ls——源极电感



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